A tajvani vállalat a HiSilicon 32 magos hálózati processzorát gyártotta le sikeresen.
A TSMC már egy ideje gőzerővel dolgozik a 16 nanométeres FinFET gyártástechnológiáján. A tajvani vállalat itt veti be először az Intel által már néhány éve tömeggyártásban is alkalmazott (FinFET) tranzisztor kiépítést, amit az amerikaiak csak 3D Tri-Gate néven emlegetnek. A TSMC 20 nanométeres technológiája sok esetben nem hozott igazi előrelépést az előd 28 nanométeres eljáráshoz viszonyítva, így a nagy területű, illetve teljesítményű lapkákhoz továbbra sem ideális választás. Többek között ezért sem láthattunk még 28 nm-nél kisebb csíkszélességen készülő AMD vagy NVIDIA GPU-kat. Röviden ennek oka, hogy a TSMC 20 nanométeres technológiája továbbra is 28nm-es BEOL-t (back end of line) alkalmaz, úgynevezett double patterning mellett, ami ugyan javít a tranzisztorsűrűségen, ugyanakkor koránt sem beszélhetünk akkora fejlődésről mint a 40->28 nanométeres váltás esetében.
A szóban forgó 16 nanométeres gyártástechnológia ugyan továbbra is 28 nm-es BEOL-t alkalmaz, de a FinFET felépítésnek köszönhetően összességében már nagyobb előrelépés tapasztalható a 28 nanométeres eljáráshoz képest. A TSMC elmondása szerint utóbbihoz mérten dupla kapusűrűséget, 40%-os teljesítménybeli javulást (azonos fogyasztás mellett), illetve 60%-os fogyasztás csökkenést (azonos tempó mellett) hoz a vállalat végleges 16 nanométeres FinFET megoldása. A HiSilicon Technologies sikeresen legyártott hálózati processzora 32 darab ARM Cortex-A57 magot tartalmaz, melyek órajele legfeljebb 2,6 GHz lehet. A tajvani bérgyártó közleménye alapján ezzel minden akadály elhárult a partnerek elől, így az igényektől függően további lapkák próbagyártása is megkezdődhet.
(forrás: prohardver.hu)